通过理论和实验两方面的系统工作，获得完整的硅纳米晶受激辐射物理图像，同时获得具有更高光增益的硅增益介质以及作为电泵浦全硅激光器主要基础器件的高效全硅LED，研制成功可在室温下稳定运行的电泵浦全硅激光器。

发展了一种适用于电泵硅基光源的低阻硅纳米晶有源层，获得在室温下稳定运行的高亮度(>10000cd/m2)全硅LED，完成高性能电泵全硅激光器基础器件；获得了硅基Er（1550nm）的发光增强和光泵全硅激光器。实现全硅LED (硅纳米晶LED)作为数据中心芯片的片上应用演示。

基于硅基肖特基结红外吸收和电荷分离原理，实现了硅基红外光伏效应。