专用集成电路与系统国家重点实验室
系列讲座之十二
题目：多模多带transceiver电路设计和系统分析
报告人：谢豪律 （中兴微电子研究院transceiver团队负责人）
时间：2012年9月27日下午14:00-16:00
地点：张江校区微电子楼389室
Abstract
随着3GPP主导的频分复用的长期演进Long Term Evolution (LTE) 4G无线通信标准在2008年1月取得了重大进展， LTE技术在各个领域的迅猛发展。日本，美国，欧洲，2010年将会开始商业化部署频分复用的LTE 通信网络。中移动TD-LTE，在2014也将会开始商业化部署。与传统的GSM和WCDMA相比，LTE技术配合系统架构演进(SAE)技术，实现了无线接入系统的重大进步。LTE可提供给单用户最大20MHz的带宽，下行最高300Mbps、上行最高75Mbps的峰值数据率，并通过减小延迟达到更快的响应速度， 因为LTE采用了更多先进的无线接入技术：包括OFDMA(正交频分多址接入)技术的采纳以及利用多天线技术(MIMO)和更高阶调制实现频谱效率的提高。
本讲座将重点讨论LTE MIMO transceiver的系统结构分析和电路设计。同时讲述如何向下兼容2G/3G的可重构技术，频率综合器如何在FDD模式下抗干扰，如何同时驱动两个接收电路，如何应对LTE对多频带，多调制带宽的全新要求，如何动态控制低功耗，如何解决LTE CIMR3/CIMR5，等技术难题。
Biography
谢豪律博士， 现任职于美国中兴微电子研究院，是中兴RF transceiver团队专家组带头人。2001年、2007年分别毕业于浙江大学信电系、伊利诺伊理工大学电子工程系获学士、博士学位。
2001年9月-2007年4月在伊利诺伊理工大学电子工程系攻读博士期间，师从Prof Albert Wang (IEEE Fellow and IEEE/EDS President), 对RF-ESD电路设计技术，超宽带射频模拟电路设计技术和超低空耗超低成本电路设计系统集成方案进行了深入的研究，并实现和成功测试了基本CMOS工艺的多项RF-ESD保护技术，超宽带RX，TX和频率综合器的电路验证。
2007年4月至今， 前后任职于Freescale/Fujitsu/中兴全球手机产品设计中心，从事基于CMOS的手机transceiver电路和系统研发工作。 做为团队核心技术人员，2009年量产世界上第一款SAW-less 2G/3G CMOS单芯片transceiver。2011年量产世界上第一款SAW-less 2G/3G/4G CMOS单芯片transceiver。2012年量产第一款通过电路硬优化成功解决LTE 最大的射频技术难题： TX CIMR3/CIMR5技术难题的CMOS芯片。解决方案论文发布于ISSCC。 2011年，谢豪律博士获得IEEE 杰出青年工程师奖励称号，表彰本人对多模多频CMOS手机单芯片的技术的长期贡献。
目前，谢豪律博士是IEEE RFIC技术委员会委员。已在国外重要期刊和国际会议上发表论文30篇以上，申请专利8项。