【学术报告】从近红外到中红外的高速III-V族半导体光电探测器

发布时间:2023-12-19 

题   目:从近红外到中红外的高速III-V族半导体光电探测器
报告人:陈佰乐副教授,上海科技大学 信息科学与技术学院
时   间:11月23日(周四)16:00
地   点:交叉二号楼B2005会议室

主讲人简介:陈佰乐现为上海科技大学信息科学与技术学院常任副教授(tenured)、研究员、博士生导师,目前致力于开发各种不同波段高性能半导体光电探测器芯片。陈佰乐于2007年本科毕业中国科学技术大学近代物理系,后分别于2009年和2013年在美国弗吉尼亚大学获得物理学硕士学位和电子工程博士学位。目前陈佰乐博士主持科技部国家重点研发计划,国家自然科学基金面上项目等项目。陈佰乐博士至今发表论文80余篇,其中50余篇论文以第一或通讯作者发表于Optica, ACS Photonics等国际知名期刊。

内容提要:III-V族化合物半导体在移动设备、无线通信和光电子等领域具有重要应用,本报告将介绍课题组近年来在III-V族半导体高速探测器领域的进展。针对不同的应用场景,报告人将主要汇报850nm零偏压GaAs高速探测器、1550nm波段InGaAs/InP带宽大于200 GHz的超高速/高功率单载流子传输探测器,以及利用InGaAs/GaAsSb、InAs/GaSb和InAs/InAsSb二类超晶格实现的2微米波段和中红外高速探测器的进展。