近日，复旦大学信息学院万景研究员课题组基于混合绝缘层上硅与体硅技术（Hybrid SOI/bulk），创造性发明了一种与CMOS工艺完全兼容的光电探测器。该探测器结合了体硅衬底上光电二极管的高响应和SOI衬底上MOSFET的低功耗和高增益，此外通过改变外加偏置，还可以实现对探测率的优化调控。2023年11月8日，该研究成果以“A Novel Low Power Photodetector Using SOI/Bulk Hybrid Technology with High Responsivity and Detectivity Optimization Capability”为题发表于微电子器件领域旗舰期刊IEEE Electron Device Letters。复旦大学信息学院博士生张伟为该文章的第一作者，复旦大学信息科学与工程学院万景研究员、微电子学院蒋玉龙教授、中科院微电子研究所刘凡宇副研究员为共同通信作者。该工作得到了上海市科委“探索者”项目、上海自然科学基金和广东省重点领域研究发展计划等支持。
原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10313276
.jpg)
图1.（a）光电探测器示意图；（b）加光后响应；（c）响应度与探测率
图2.（a）不同光强下器件响应；（b）改变偏置电压优化探测率
