近日，复旦大学信息学院万景研究员课题组基于零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管（Zero Subthreshold Swing and Zero Impact Ionization FET，Z2-FET），创新性地发明了一种与CMOS工艺兼容的人工脉冲神经元。该神经元仅仅使用单个晶体管，即可实现完整的IF功能与自复位，并能通过改变器件的栅压来调控神经元的脉冲发放阈值，展现了在高集成度和低功耗的脉冲神经网络中的应用潜力。2022年11月4日，该研究成果以“A Compact Artificial Spiking Neuron Using a Sharp-Switching FET With Ultra-Low Energy Consumption Down to 0.45 fJ/spike”为题发表于微电子器件领域旗舰期刊IEEE Electron Device Letters。复旦大学信息学院博士生陈颖欣和肖凯为该文章的共同第一作者。
该工作得到了科技部重点研发计划、上海市科委“探索者”项目、国家自然科学基金和复旦大学工研院创新项目等支持。
原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9940192
